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RTS-3型手持式四探針測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準而設(shè)計的，于測量硅晶塊、晶片電阻率及擴散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。
儀器采用了ZHUI新電子技術(shù)進行設(shè)計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數(shù)快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點。如有需要可加配測試臺使用。
本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對半導(dǎo)體材料的電阻性能測試。

技　術(shù)　指　標(biāo) ：

測量范圍	電阻率：0.01～1999.9Ω.cm；方塊電阻：0.1～19999Ω/□；
恒流源	電流量程分為100μA、1mA兩檔，兩檔電流連續(xù)可調(diào)
數(shù)字電壓表	量程及表示形式：000.00～199.99mV；分辨力：10μV；輸入阻抗：>1000MΩ；精度：±0.1%；顯示：以大屏幕LCD顯示讀數(shù)，直觀清晰；極性、超量程自動顯示；
四探針探頭基本指標(biāo)	間距：1±0.01mm；針間絕緣電阻：≥1000MΩ；機械游移率：≤0.3%；探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；探針壓力：5～16 牛頓(總力)；
四探針探頭應(yīng)用參數(shù)	(見探頭附帶的合格證)
模擬電阻測量相對誤差 ( 按JJG508-87進行)	1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字
整機測量大相對誤差	(用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測試)≤±5%
整機測量標(biāo)準不確定度	≤5%
外型尺寸	185mm(長)90mm(寬)30mm(高)
重量	350g
電源	鋰電池，一次充電可連續(xù)使用100小時；
標(biāo)準使用環(huán)境	溫度：23±2℃；相對濕度：≤65%；無高頻干擾；無強光直射

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